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还在为电路中的功率开关效率低下而头疼吗？让DMP3036SFG-7来为您解决！这颗P沟道MOSFET是您实现高效能量控制的得力助手。它能在30V电压下顺畅处理8.7A的电流，而其超低的20毫欧导通电阻（@10V）能大幅减少导通损耗，直接为您带来更低的发热和更高的系统效率。

这颗芯片能为您做什么？它让您的电源管理设计变得前所未有的轻松。无论是用于负载开关、电池保护，还是电机驱动，其快速的开关特性和优异的栅极电荷管理，都能确保响应迅速、运行平稳。采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，它还能帮您节省宝贵的PCB空间，让您的产品设计更小巧、更高效。

• 型号:DMP3036SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3036SFG-7，Diodes产品一站式供应商。