还在为功率开关的效率与体积发愁吗?DMP3036SFV-7正是您期待的解决方案!这颗高性能P沟道MOSFET,拥有30V/30A的强劲规格,其核心价值在于极低的导通电阻(仅20毫欧),能显著减少开关过程中的功率损耗,直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。
它采用先进的PowerDI3333-8封装,在节省电路板空间的同时,提供了出色的散热性能。无论是用于负载开关、电池反接保护,还是DC-DC转换器,它都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽、响应更迅速。选择它,就是为您的产品注入了高效与可靠的双重保障。
- 型号:DMP3036SFV-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI3333-8(UX 类)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 8A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):16.5 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1931 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.3W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerDI3333-8(UX 类)
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMP3036SFV-7,Diodes产品一站式供应商。