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还在为复杂的双路功率控制设计头疼吗？DMP3036SSD-13双P沟道MOSFET阵列就是为您简化设计、提升效率而生的利器。它让您仅用一颗芯片，就能轻松实现高效的双路开关或互补驱动，其逻辑电平门特性可直接由MCU驱动，省去额外电路，让您的系统设计更简洁、响应更迅捷。

这颗芯片能为您做什么？它凭借10.6A的高电流承载能力和低至20毫欧的导通电阻，能显著降低功率路径上的损耗，提升整体能效。无论是用于电池管理系统中的负载开关，还是电机驱动中的H桥臂，都能确保动力强劲且发热可控。其紧凑的8-SOIC封装，更是为您在空间受限的现代电子产品中实现高密度布局提供了可能。

选择DMP3036SSD-13，意味着您选择了一个在-55°C至150°C宽温范围内都能稳定工作的可靠伙伴。它将帮助您轻松构建出更高效、更紧凑、更可靠的电源与驱动解决方案，直接赋能您的产品赢得市场先机。

• 型号:DMP3036SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.0A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMP3036SSD-13，Diodes产品一站式供应商。