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还在为寻找一颗既能节省PCB空间又能扛起大电流的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3065LVT-7正是为您解忧的利器。这颗采用先进MOSFET技术的芯片，拥有30V的漏源电压和4.9A的连续电流能力，其核心魅力在于低至42毫欧的导通电阻，能显著降低您在开关应用中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。

它专为简化您的设计而生。仅需4.5V的驱动电压即可实现高效导通，轻松匹配各种控制电路。紧凑的TSOT-26表面贴装封装，为您宝贵的板级空间腾出更多可能。无论是用于负载开关、电源转换还是电机控制，DMP3065LVT-7都能以稳定的性能和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您系统的可靠性与耐久性，让设计挑战化为无形。

• 型号:DMP3065LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 4.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:587 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMP3065LVT-7，Diodes产品一站式供应商。