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还在为寻找一款高效、紧凑的双路电源开关而烦恼吗？ZXMD65P03N8TA正是为您解忧的利器！这颗集成了两个P沟道MOSFET的芯片，能轻松担当起负载开关、电源路径管理或电机驱动的重任。其低至55毫欧的导通电阻，意味着更少的能量损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它能让您用一颗芯片完成以往需要两颗分立器件才能实现的功能，极大地简化了电路板布局，节省了宝贵空间。无论是驱动小型电机，还是管理便携设备的电源通断，ZXMD65P03N8TA都能提供稳定可靠的30V/3.8A开关能力，是您提升产品功率密度和可靠性的理想选择。

• 制造商产品型号：ZXMD65P03N8TA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 P 沟道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.8A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 4.9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25.7nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：930pF @ 25V
• 功率-最大值：1.25W
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• ZXMD65P03N8TA，Diodes产品一站式供应商。