我们为全球各个行业提供Diodes DMP3160L-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为有限的电路板空间和复杂的电源管理发愁吗？让DMP3160L-7成为您得力的“空间管理大师”与“能效管家”。这颗P沟道MOSFET以其微型SOT-23-3封装，为您释放宝贵的PCB面积，同时凭借2.7A的连续电流能力和低至122毫欧的导通电阻，确保功率路径上的损耗降至最低。

它专为简化您的设计而生，仅需4.5V驱动电压即可高效工作，兼容多种逻辑电平，让您轻松实现负载开关、电源选通或电池保护等功能。其宽工作温度范围和30V的耐压能力，为您产品的稳定可靠运行提供了坚实保障。选择它，就是选择了一条高效、紧凑且可靠的产品实现路径。

• 型号:DMP3160L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:227 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.08W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP3160L-7，Diodes产品一站式供应商。