还在为复杂的功率开关设计头疼吗?DMP3165L-7为您提供一站式高效解决方案。这颗P通道MOSFET能在高达30V的电压和3.3A的电流下稳定工作,凭借其低至90毫欧的导通电阻,它能显著降低导通损耗,让您的系统运行更凉爽、能效更高。
它专为简化您的设计而生。超低的栅极驱动要求和快速的开关特性,让您轻松实现高效功率控制,无需复杂的驱动电路。其坚固的SOT-23封装不仅节省宝贵的电路板空间,更能承受严苛的工作温度,确保您的产品在各种环境下都稳定可靠。选择DMP3165L-7,就是选择让功率管理变得简单、高效且可靠。
- 型号:DMP3165L-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T\\u0026R
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 2.7A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):300 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):800mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP3165L-7,Diodes产品一站式供应商。