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还在寻找能完美平衡性能与尺寸的功率开关方案吗？DMP31D7LDW-7正是为您而来的答案。这颗双P沟道MOSFET阵列，集成了两个高效通道，能在仅SOT-363的微型封装内，为您提供高达550mA的负载驱动能力和低至900mΩ的导通电阻，显著降低功率损耗，提升系统整体能效。

它让您轻松实现紧凑型设备中的多路信号切换与电源管理。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种严苛环境下的稳定运行，而标准化的FET功能则简化了您的设计流程。选择它，就是选择了一种让产品更轻薄、续航更持久、设计更高效的可靠路径。

• 型号:DMP31D7LDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 0.55A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):550mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900mOhm @ 420mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMP31D7LDW-7，Diodes产品一站式供应商。