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还在为复杂的电源管理电路占用宝贵空间而头疼吗？DMP32D4SW-7正是为您解忧的利器。这颗P沟道MOSFET就像一个高效、敏捷的微型电子开关，能让您轻松控制电路中电源或信号的“通”与“断”。

凭借30V的耐压和250mA的持续电流能力，它足以应对大多数便携式设备的开关需求。其核心魅力在于极低的导通电阻和栅极电荷，这意味着它在工作时自身损耗极小，几乎不发热，从而让您的设备更省电、续航更持久，同时高速的开关特性也让系统响应更加迅捷。无论是用于电池供电产品的负载开关，还是信号路径的选择，它都能让您的设计变得更简洁、更高效。

采用超小的SOT-323封装，它能轻松融入任何紧凑的设计中，是您追求产品小型化、轻薄化的理想选择。选择DMP32D4SW-7，就是为您的产品选择了一份可靠与高效。

• 型号:DMP32D4SW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 250MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:51.16 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMP32D4SW-7，Diodes产品一站式供应商。