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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMN4036LK3-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V/8.5A的强劲性能，其核心魅力在于极低的36毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效，直接提升终端产品的续航和可靠性。

它能让您轻松驾驭DC-DC转换、电机控制、负载开关等多种应用。4.5V的低驱动电压使其易于控制，而超低的栅极电荷则确保了快速的开关响应，有效减少动态损耗。采用坚固的TO-252-3封装，并提供从-55°C到150°C的宽工作温度范围，DMN4036LK3-13是您打造高效、紧凑且鲁棒性强的功率电路的理想选择。

• 型号:DMN4036LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:453 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.12W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN4036LK3-13，Diodes产品一站式供应商。