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您正在寻找一颗能轻松驾驭便携设备电源开关任务的芯片吗？DMP32D5SFB-7B正是为您而来。这颗由Diodes Incorporated出品的P沟道MOSFET，拥有30V的漏源电压和400mA的连续漏极电流能力，结合其超低的栅极电荷和导通电阻，能为您实现高效、快速的电源通断控制，显著降低开关损耗，让您的设计更省电、运行更凉爽。

它采用先进的X1-DFN1006-3超小型封装，非常适合空间极度受限的现代电子产品，如TWS耳机、智能手表或微型传感器。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的可靠性与稳定性。选择DMP32D5SFB-7B，就是选择了一种让设计更简洁、性能更卓越、产品更具市场竞争力的高效解决方案。

• 型号:DMP32D5SFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMP32D5SFB-7B，Diodes产品一站式供应商。