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在追求极致能效和微型化的今天，您是否渴望一颗能轻松驾驭低压便携设备电源管理的“智能开关”？DMP32D9UFZ-7B正是为此而生。这颗P沟道MOSFET能为您高效地导通或切断电路，其低至5欧姆的导通电阻能大幅减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽，电池续航更长久。

它专为空间紧张的应用优化，采用超微型的X2-DFN0606-3封装，几乎不占用电路板面积，却能提供30V的耐压和200mA的电流处理能力。无论是用于智能穿戴设备的电源分配，还是物联网传感器的负载开关，它都能让您轻松实现高效的电源路径管理和可靠的系统保护。

更值得一提的是，其极低的栅极电荷确保了快速的开关响应，这对于需要频繁切换状态以节省能源的应用至关重要。选择DMP32D9UFZ-7B，就是为您的精巧设计选择了一颗高效、可靠且节省空间的动力核心。

• 型号:DMP32D9UFZ-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0606-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22.5 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0606-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP32D9UFZ-7B，Diodes产品一站式供应商。