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还在为电源路径上的开关损耗和散热问题头疼吗？DMP32M6SPS-13正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达100A的连续电流承载能力，其核心魅力在于超低的2.6毫欧导通电阻，能显著减少导通状态下的功率损耗，直接提升您的系统效率，让电能转换更加“绿色”。

它能让您轻松驾驭从电机驱动、负载开关到DC-DC转换等各种高电流应用场景。优异的开关特性（低栅极电荷）确保了快速响应，而PowerDI5060-8封装则兼顾了紧凑布局与高效散热。选择它，就是为您的设计选择了高效、可靠与空间优化的完美平衡。

• 型号:DMP32M6SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:158 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8594 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMP32M6SPS-13，Diodes产品一站式供应商。