我们为全球各个行业提供Diodes DMP4025SFGQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的负载开关或电源路径管理寻找一颗“得力干将”吗？DMP4025SFGQ-13正是您需要的答案。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，就像一个高效、智能的能量开关，能轻松帮您控制高达40V电压、7.2A电流的通断。

它的核心魅力在于极低的导通损耗和快速的开关响应。其卓越的25毫欧低导通电阻，让电流通过时的能量损失降至最低，显著提升系统效率并减少发热。同时，优化的栅极特性让驱动变得异常简单，帮助您简化电路设计，节省开发时间和成本。

更重要的是，它拥有汽车级AEC-Q101的可靠内核，工作温度横跨-55°C至150°C，无论面对车载电子的严酷环境还是工业设备的持久考验，都能稳定运行，让您的产品底气十足。选择它，就是为您的设计注入一份高效与安心。

• 型号:DMP4025SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1643 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:810mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP4025SFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。