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还在为高压电路中的开关选择而烦恼吗？让DMP45H150DHE-13来为您轻松解决！这颗高性能P沟道MOSFET，拥有450V的强劲耐压和250mA的连续电流能力，是您构建高效、紧凑电源系统的理想核心。它能让您的高压侧开关控制变得异常简洁可靠。

得益于其仅150欧姆的低导通电阻（@50mA,10V）和极低的栅极驱动需求，它能显著降低开关损耗，提升整体能效。同时，SOT-223的超小型封装为您节省了至关重要的电路板空间，让您的设计更加精巧。无论是面对-55°C的严寒还是150°C的高温，它都能稳定工作，确保您的产品在各种环境下都表现出色。

• 型号:DMP45H150DHE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:13.9W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• DMP45H150DHE-13，Diodes产品一站式供应商。