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还在为高压电源设计中开关损耗大、效率难以提升而烦恼吗？DMP45H4D9HK3-13正是为您破解这一难题的钥匙。这颗450V/4.7A的P沟道MOSFET，凭借其低至4.9欧姆的导通电阻和仅13.7nC的栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源系统轻松实现更高的能效转换，同时减少发热，提升长期可靠性。

它能让您在设计AC-DC适配器、工业电源或LED驱动时更加游刃有余。其优异的开关特性支持更高的工作频率，使您能够选用更小尺寸的电感和电容，从而优化整个系统的体积与成本。采用坚固的TO-252封装，它确保了出色的功率耗散能力（高达104W）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），让您的产品无惧严苛环境挑战，稳定运行。

• 型号:DMP45H4D9HK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:564 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMP45H4D9HK3-13，Diodes产品一站式供应商。