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还在寻找一颗能完美融入您紧凑设计，同时提供稳健功率开关性能的MOSFET吗？DMP56D0UFB-7B正是您期待的解决方案。这颗P沟道MOSFET专为空间受限的应用而优化，让您能在智能穿戴设备、便携式医疗仪器或物联网传感器等产品中，轻松实现高效的负载开关和电源路径管理。

它拥有50V的耐压和200mA的连续电流处理能力，配合低至1.2V的栅极开启电压，可直接由微控制器驱动，极大地简化了您的电路。其超低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应和极低的功率损耗，直接助力延长设备的电池续航。采用微型3-X1DFN表面贴装封装，它能帮助您最大化利用宝贵的PCB空间。

更重要的是，DMP56D0UFB-7B在-55°C到150°C的极端温度范围内都能稳定工作，为您产品的可靠性提供了坚实保障。选择它，就是选择了一种更高效、更紧凑、更可靠的设计方式。

• 型号:DMP56D0UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.58 nC @ 4 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50.54 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:425mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMP56D0UFB-7B，Diodes产品一站式供应商。