我们为全球各个行业提供Diodes DMT12H090LFDF4-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能同时搞定高效开关与极致省空间的“全能选手”吗？DMT12H090LFDF4-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有115V耐压和3.4A电流处理能力，专为提升您的电源转换效率而生。

它的核心魅力在于极低的导通损耗。在10V驱动下仅90毫欧的导通电阻，能显著减少开关过程中的能量浪费，直接帮助您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时，其超小的DFN2020封装让您能轻松应对紧凑的PCB布局挑战，释放更多设计空间。

无论是用于电池管理、电机驱动还是负载开关，DMT12H090LFDF4-7都能以卓越的电气性能和坚固的可靠性，让您的产品设计更高效、更具市场竞争力。选择它，就是为您的电路选择了一位高效而可靠的“能量守门员”。

• 型号:DMT12H090LFDF4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN2020-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:115 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:251 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN2020-6
• 封装/外壳:6-PowerXDFN
• DMT12H090LFDF4-7，Diodes产品一站式供应商。