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还在为高压侧开关电路的设计复杂度和效率问题头疼吗？让DMP6023LE-13来为您轻松化解！这颗P沟道MOSFET是您实现高效、紧凑电源管理的得力助手。

它拥有60V的耐压和高达7A的连续电流能力，配合极低的导通电阻，能显著降低功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。其优化的开关特性，让您能轻松设计出响应迅速的电源路径控制、电机驱动或负载开关电路。

选择它，意味着您选择了一个在-55°C到150°C范围内都能稳定工作的可靠伙伴。其SOT-223封装完美平衡了尺寸与散热，助您轻松实现高性能与小体积的兼得，加速产品上市进程。

• 型号:DMP6023LE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta），18.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2569 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• DMP6023LE-13，Diodes产品一站式供应商。