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还在为电源路径上的开关损耗和散热问题头疼吗？DMP6050SPS-13正是为您而来的高效解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有60V的耐压和5.7A的连续电流能力，其核心魅力在于低至50毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了卓越的散热性能。无论是用于电池供电设备的负载管理，还是工业控制中的功率切换，它都能确保快速、干净的开关动作，大幅提升整体可靠性。选择它，就是选择了一份让设计更轻松、让产品更具竞争力的保障。

• 型号:DMP6050SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2163 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMP6050SPS-13，Diodes产品一站式供应商。