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还在为寻找一颗既能承受高功率又足够小巧的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP6110SVT-13正是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的能量开关与控制。

凭借60V的漏源电压和7.3A的连续电流能力，它能为您的负载开关、电源路径管理和电机驱动应用提供强劲而可靠的动力核心。其超低的导通电阻（典型值105毫欧@10V）意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行更凉爽、更高效。优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速的开关响应，进一步提升整体能效。

所有这些卓越性能，都被集成在一个微型的TSOT-26封装内，为您极度紧凑的设计需求腾出宝贵空间。选择DMP6110SVT-13，就是选择用一颗芯片，同时赢得性能、效率与空间的三重优势。

• 型号:DMP6110SVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:969 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMP6110SVT-13，Diodes产品一站式供应商。