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还在为寻找一颗既能扛住60V高压、通过3A电流，又能在-55°C到150°C极端温度下稳定工作的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP6185SE-7就是您的高效答案。它专为汽车级（AEC-Q101）应用打造，让您的电源管理、电机驱动或负载开关电路面对严苛环境时，依然从容不迫。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅150毫欧的低导通电阻（@10V Vgs），大幅降低导通损耗，让系统运行更凉爽、能效更高。其紧凑的SOT-223封装节省了宝贵的电路板空间，同时提供了出色的散热性能。简单来说，DMP6185SE-7让您能以更小的体积和更高的可靠性，轻松驾驭汽车电子、工业控制等领域的功率开关任务，是提升产品竞争力的可靠选择。

• 型号:DMP6185SE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:708 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• DMP6185SE-7，Diodes产品一站式供应商。