还在为寻找一颗能扛起大梁的P沟道MOSFET而烦恼吗?DMP6185SK3-13就是您期待的答案。它能轻松驾驭高达60V的电压和9.4A的连续电流,凭借低至150毫欧的导通电阻,显著降低系统功耗与发热,让您的电源转换和电机驱动应用效率倍增。
这颗芯片专为要求严苛的应用而设计。其快速的开关特性(栅极电荷仅14nC)让您能实现更高频率的设计,而TO-252封装则确保了出色的散热和焊接可靠性。无论是工业控制、消费电子还是通信设备,选择它,就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。
- 型号:DMP6185SK3-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-252-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):150 毫欧 @ 12A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):14 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):708 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252-3
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- DMP6185SK3-13,Diodes产品一站式供应商。