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DMPH2040UVTQ-13 零件图片(仅供参考)

DMPH2040UVTQ-13
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DMPH2040UVTQ-13 规格参数

您是否正在寻找一颗既能扛起大电流重任,又能轻松嵌入紧凑空间的P通道MOSFET?DMPH2040UVTQ-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的汽车级芯片,拥有20V耐压和高达11.7A的电流处理能力,却精巧地栖身于微小的TSOT-26封装内。它能让您轻松实现高效的电源开关与路径管理,显著降低系统功耗与发热。

其关键优势在于极低的导通电阻和快速的开关特性,配合2.5V的低驱动电压,让您的设计在提升能效的同时,还能简化驱动电路。无论是应对汽车电子中的严酷环境,还是满足消费电子产品对轻薄长续航的追求,它都能提供稳定可靠的性能支撑。选择它,就是为您的产品选择了一份经过AEC-Q101认证的耐久保障,让高效能与高可靠性触手可及。

  • 型号:DMPH2040UVTQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TSOT-26
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):0.59 宽 x 2.64 长(15.0mm x 67.0mm)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):NHD-1.5-128128G,SSD1357
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):19 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):834 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TSOT-26
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • DMPH2040UVTQ-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMPH2040UVTQ-13 基本参数:

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