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您是否希望为您的电源或电机控制设计找到一颗“既强健又敏捷”的核心开关？DMPH4015SK3Q-13正是这样一款专为严苛应用而生的P沟道MOSFET。它能轻松驾驭高达40V的电压和45A的峰值电流，同时凭借低至11毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更出众。

这颗芯片能为您做什么？它让您高效管理功率路径。其快速的开关特性和低栅极电荷，特别适合需要高频操作的DC-DC转换和负载开关场景，帮助您提升整体电源效率。无论是汽车电子中的车身控制模块，还是工业设备里的电机驱动，它都能提供稳定可靠的性能表现。

更重要的是，它拥有汽车级AEC-Q101认证，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在极端环境下依然坚如磐石。选择DMPH4015SK3Q-13，就是为您的产品选择了经久耐用的品质基石和卓越的电气性能，让设计更省心，产品更具竞争力。

• 型号:DMPH4015SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4234 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMPH4015SK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。