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还在寻找一颗能同时满足高电流、低损耗与高可靠性的P沟道MOSFET吗？DMPH4023SK3Q-13就是为您而来的答案。这颗来自Diodes Incorporated的汽车级功率器件，拥有40V耐压和高达50A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于极低的26毫欧导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，提升整体能效，让电源转换更加“冷静”高效。

它专为严苛环境打造，工作结温范围宽达-55°C至175°C，并通过AEC-Q101认证，是汽车电子、工业控制等可靠性要求极高应用的理想心脏。其10V的低驱动电压和超低的栅极电荷，让您的驱动电路设计变得异常轻松，实现快速、干净的开关动作，进一步优化系统性能。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的动力基石。

• 型号:DMPH4023SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1091 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMPH4023SK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。