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还在寻找一颗能轻松驾驭中低功率开关任务的“全能型”MOSFET吗？DMN2041LSD-13正是为您准备的答案。这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，集成了两个逻辑电平门控的通道，让您仅用一颗芯片就能高效控制两路负载，极大节省PCB空间并简化布局。

它拥有20V的漏源电压和高达7.63A的连续电流能力，配合低至28毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。无论是用于DC-DC转换、电机驱动还是负载开关，它都能以快速的开关响应和出色的热性能，确保您设计的稳定与可靠。

• 型号:DMN2041LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.63A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.16W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN2041LSD-13，Diodes产品一站式供应商。