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还在为功率转换效率与空间限制的矛盾而烦恼吗？让DMPH6050SFG-7为您提供完美解决方案。这颗高性能MOSFET拥有41V-60V的宽泛BVDSS范围，并能轻松驾驭高达18A（Tc）的连续电流，为您的高负载应用注入强劲动力。

它采用创新的POWERDI333封装，在极致紧凑的体积内实现了优异的散热与电气性能。这意味着您可以在不牺牲功率处理能力的前提下，大幅缩小PCB板面积，让您的产品设计更轻薄、更具竞争力。无论是提升电源模块的功率密度，还是优化电机驱动的响应速度，它都能让您的工作事半功倍。

选择DMPH6050SFG-7，就是选择高效、可靠与设计自由。它将复杂的技术参数转化为直观的性能优势，助您轻松攻克各种严苛的电源管理挑战，加速产品上市进程。

• 型号:DMPH6050SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.1A（Ta），18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1293 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• DMPH6050SFG-7，Diodes产品一站式供应商。