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您正在寻找一款能精准“驯服”电压，为电路提供坚实保护的解决方案吗？MMBZ5252B-7齐纳二极管正是为此而生。它能将电压稳定在您设定的24V基准点，容差精细至±5%，有效吸收高达350mW的浪涌功率，如同为您的精密电路安装了一个灵敏可靠的“电压卫士”。

这颗芯片能让您轻松实现电压箝位、稳压和瞬态过压保护。其低至33欧姆的动态阻抗和100nA的超低反向泄漏电流，确保了稳压的高效与精准，最大限度地减少能量损耗。无论是用于生成参考电压，还是保护敏感的IC免受电压尖峰冲击，MMBZ5252B-7都能以卓越的稳定性，提升您整个电子系统的可靠性与寿命。

• 型号:MMBZ5252B-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 24V 350MW SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):24 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):33 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 18 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5252B-7，Diodes产品一站式供应商。