我们为全球各个行业提供Diodes DMS3016SFG-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能在低压下高效驱动、同时损耗极低的功率开关而烦恼吗？DMS3016SFG-13就是您的理想答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，集成了肖特基二极管，专为追求极致效率的您而设计。

它能让您轻松驾驭高达7A的连续电流，而其惊人的13毫欧超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接将更多电能用于有效工作，提升整机效率。更妙的是，其逻辑电平门设计让您仅用微控制器的标准输出电压即可高效驱动，无需复杂的电平转换电路，大大简化了您的设计。

无论是用于DC-DC转换器实现高效同步整流，还是作为电机驱动、负载开关的核心，其PowerDI3333-8小型封装都能帮您节省宝贵的电路板空间，同时确保出色的散热性能。选择它，就是选择了一条更高效、更紧凑、更可靠的设计路径。

• Diodes公司完整型号：DMS3016SFG-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
• 系列：-
• FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!
• FET 功能：逻辑电平门
• 漏源极电压 (Vdss)：30V
• 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 11.2A，10V
• 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：44.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1886pF @ 15V
• 功率 - 最大值：980mW
• 安装类型：表面贴装
• 封装/外壳：8-PowerVDFN
• 供应商器件封装：PowerDI3333-8
• DMS3016SFG-13，Diodes产品一站式供应商。