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还在为功率转换系统的效率提升而烦恼吗？DMT10H009LH3 N沟道MOSFET就是您期待的解决方案。它凭借100V的耐压和高达84A的电流处理能力，为您的大功率应用注入强劲动力，同时其惊人的9毫欧超低导通电阻，能大幅削减导通损耗，直接提升系统能效，让您的产品在能耗表现上脱颖而出。

这颗芯片能为您做的远不止于此。其优化的栅极特性让驱动变得异常轻松，有效降低开关损耗，特别适合高频开关电源设计。采用坚固的TO-251封装，确保了出色的散热性能和可靠性，让您的设计在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行。选择DMT10H009LH3，就是选择了一个让您设计更高效、运行更可靠、竞争力更强的核心部件。

• 型号:DMT10H009LH3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 84A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2309 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:96W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• DMT10H009LH3，Diodes产品一站式供应商。