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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易驱动性的功率开关芯片吗？DMT10H015LFG-7正是为此而生。这颗100V N沟道MOSFET拥有低至13.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关状态下的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让设备运行更凉爽，续航更持久。

它具备10A（Ta）至42A（Tc）的宽范围连续电流处理能力，配合仅33.3nC的栅极电荷，让您能够轻松实现高速开关，减少开关损耗，并简化驱动电路设计。无论是用于DC-DC转换器的同步整流，还是电机控制中的H桥驱动，它都能提供稳定、强劲的性能输出。

采用坚固的PowerDI3333-8表面贴装封装，确保了优异的散热性能和机械可靠性，工作结温范围宽达-55°C至150°C，足以应对各种苛刻的应用环境。选择DMT10H015LFG-7，就是为您的核心电路选择一个高效、可靠的动力心脏。

• 型号:DMT10H015LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT10H015LFG-7，Diodes产品一站式供应商。