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您正在寻找一颗能兼顾高性能与微型化的功率开关吗？DMT10H072LFDF-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和4A的连续电流能力，其核心魅力在于采用先进的U-DFN2020-6微型封装，却实现了低至62毫欧的导通电阻。这意味着它能在极为有限的空间内，大幅降低导通损耗，直接提升您的终端产品的能效和续航时间。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，显著减少开关过程中的能量损失。无论是用于便携设备的电源管理、电机驱动，还是各种DC-DC转换拓扑，DMT10H072LFDF-13都能让您的系统运行得更凉爽、更高效、更可靠。选择它，就是为您的设计选择了一颗强劲而精巧的“心脏”。

• 型号:DMT10H072LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:266 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMT10H072LFDF-13，Diodes产品一站式供应商。