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还在为开关电源的效率瓶颈或电机驱动的发热问题而烦恼吗？DMT10H010LSS-13正是为您破解这些难题而生的高效N沟道MOSFET。它集100V耐压、高达29.5A（Tc）的电流承载能力与极低的导通电阻于一身，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机控制应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片采用紧凑的8-SO封装，易于布局和焊接，能帮助您轻松实现高功率密度设计。其优化的动态参数（如栅极电荷）让开关过程更快更干净，进一步提升系统整体能效。无论是开发新一代快充适配器、智能家居中的电机，还是工业电源模块，选择DMT10H010LSS-13，就是为您的产品选择了可靠的性能基石与卓越的能效表现。

• 型号:DMT10H010LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta），29.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT10H010LSS-13，Diodes产品一站式供应商。