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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让DMT10H4M5LPS-13为您开启高效节能的新篇章。这颗强大的MOSFET专为61V-100V的中高压场景打造，其核心价值在于以极低的导通损耗，将更多的电能高效输送给负载，而非浪费在发热上，从而让您的电源模块、电机驱动或功率转换系统运行得更冷静、更持久。

它采用先进的POWERDI50封装，在为您提供高达100V坚固耐压保障的同时，凭借优异的封装热性能，让热量轻松散发，极大简化了您的散热设计。这意味着您可以更专注于系统功能的创新，而无需在热管理上耗费过多精力。选择它，就是选择了一条提升产品能效密度与可靠性的捷径，让您的设计在性能和成本之间找到最佳平衡点。

• 型号:DMT10H4M5LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4843 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT10H4M5LPS-13，Diodes产品一站式供应商。