您正在寻找一颗能扛起大电流重任,同时保持冷静高效的功率开关吗?DMTH4004SK3-13正是您的理想之选。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET,拥有40V耐压和高达100A的连续电流处理能力,其核心魅力在于仅3.2毫欧的超低导通电阻,能显著降低导通损耗,提升整体系统效率,并让散热设计变得更加轻松。
它专为高要求应用而优化,极低的栅极电荷确保快速开关,减少驱动损耗,让您的电源电路可以运行在更高频率。采用坚固的TO-252封装,提供出色的功率耗散能力,并支持表面贴装,便于自动化生产。选择它,就是为您的服务器电源、电机驱动或DC-DC转换器注入强劲而高效的核心动力。
- 型号:DMTH4004SK3-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-252-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.2 毫欧 @ 90A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):68.6 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4305 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.9W(Ta),180W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252-3
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- DMTH4004SK3-13,Diodes产品一站式供应商。