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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMT15H053SSS-13正是为您破解这一难题的利器。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有150V的漏源电压和最高15A的电流处理能力，其核心魅力在于仅53毫欧的超低导通电阻。这意味着它能大幅减少开关过程中的功率损耗，直接让您的电源模块或电机驱动电路运行得更凉、更高效。

更令人惊喜的是，它具备11.5nC的低栅极电荷和快速的开关特性，特别适合高频开关电源应用。无论是开发紧凑型充电器、工业电源，还是需要可靠开关控制的设备，它都能让您轻松实现高功率密度和卓越的能效表现。采用表面贴装的8-SO封装，易于集成到您的PCB设计中，是追求高性能与高可靠性设计的理想选择。

• 型号:DMT15H053SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Ta），15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:53 毫欧 @ 4.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:814 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT15H053SSS-13，Diodes产品一站式供应商。