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还在为功率转换效率低下和散热问题头疼吗？DMT2004UFG-7正是您的高效解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有70A的强大电流处理能力和低至5毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能，轻松提升整体能效。

它专为汽车电子和 demanding 的工业应用而生，采用紧凑的PowerDI3333-8封装，帮助您在有限的空间内实现最大的功率密度。其优化的开关特性（低栅极电荷和输入电容）确保了快速响应，减少电压尖峰和噪声，让您的电路设计更简洁，性能更稳定可靠。

• 型号:DMT2004UFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT2004UFG-7，Diodes产品一站式供应商。