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还在为功率转换效率的瓶颈而困扰吗？DMT2004UFV-13正是为您突破极限而生的利器。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有24V耐压和高达70A的电流处理能力，其核心魅力在于仅5毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI3333表面贴装封装，兼具出色的散热性能和紧凑的尺寸，非常适合空间受限的高密度设计。凭借2.5V的低阈值驱动电压，它能轻松被微控制器或逻辑电路直接驱动，简化您的系统设计。无论是提升无人机动力响应、优化服务器电源模块，还是强化车载电子系统的可靠性，DMT2004UFV-13都能以卓越的电气特性，让您轻松实现更高性能、更小体积的设计目标。

• 型号:DMT2004UFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT2004UFV-13，Diodes产品一站式供应商。