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还在为寻找一颗能同时满足大电流、高效率与汽车级可靠性的MOSFET而烦恼吗？DMT3002LPS-13正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的漏源电压和高达100A的连续电流处理能力，其核心魅力在于超低的1.6毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源系统运行得更凉快、更高效。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，兼顾了紧凑尺寸与卓越的散热性能，轻松应对高密度PCB布局的挑战。无论是用于汽车电机驱动、负载开关还是DC-DC转换，DMT3002LPS-13都能凭借其快速的开关响应（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的产品在各种严苛环境下稳定可靠地运行，助您轻松打造出更具市场竞争力的高性能电子设备。

• 型号:DMT3002LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:77 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT3002LPS-13，Diodes产品一站式供应商。