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还在为寻找一颗能同时满足高效率、大电流和汽车级可靠性的MOSFET而烦恼吗？让DMT3003LFG-7为您排忧解难！这颗30V N沟道MOSFET拥有高达22A（Ta）/100A（Tc）的电流处理能力，配合极低的3.2毫欧导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉快、更高效。

它专为严苛环境打造，通过AEC-Q101认证，可在-55°C至150°C的广阔温度范围内稳定工作，是汽车电子和工业应用的理想心脏。其PowerDI3333-8封装兼顾了卓越的散热与紧凑的占板面积，让您轻松实现高功率密度设计。选择它，就是为您的产品选择了持久可靠的动力核心。

• 型号:DMT3003LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），62W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3003LFG-7，Diodes产品一站式供应商。