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还在寻找一颗能扛起大电流、又能保持“冷静”的功率开关吗？DMT3004LFG-13正是您的理想之选。这颗30V N沟道MOSFET，拥有高达25A（Tc）的电流处理能力，而其核心优势在于极低的导通电阻（仅4.5毫欧@10V），能大幅减少导通损耗，让您的电源设计更高效、发热更少。

它采用热性能优异的PowerDI3333-8封装，轻松应对42W（Tc）的功率耗散，确保系统在高温下稳定运行。同时，低栅极电荷特性助力实现快速开关，有效降低开关损耗。无论是汽车电机驱动、DC-DC转换还是负载开关，选择它，就是选择了一份可靠与高效，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:DMT3004LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.4A（Ta），25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3004LFG-13，Diodes产品一站式供应商。