我们为全球各个行业提供Diodes DMT3009LFVW-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一款兼具高性能与小尺寸的功率开关而烦恼吗？DMT3009LFVW-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V/12A的强劲规格，其核心价值在于让您轻松实现高效的能量控制与转换。

它凭借低至11毫欧的导通电阻和快速的开关特性，能显著降低您系统中的功率损耗和发热，直接提升整体能效。无论是驱动电机、管理电源路径还是进行负载开关，它都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽。采用先进的PowerDI3333-8封装，节省宝贵空间的同时，也确保了卓越的散热性能和焊接可靠性，让您的产品从内到外都更具竞争力。

• 型号:DMT3009LFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 14.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:823 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3009LFVW-13，Diodes产品一站式供应商。