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您是否正在寻找一颗能大幅提升电源效率、同时保持紧凑设计的核心开关器件？DMT3009LFVW-7正是您期待的答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，凭借仅11毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效，直接将电能更多用于驱动负载，而非无谓的发热。

它拥有30V的耐压和高达12A的连续电流能力，驱动电压需求低至3.8V，让您能轻松设计高效能的DC-DC转换、电机驱动和负载开关电路。其先进的PowerDI3333封装集卓越的散热性能与便于自动化生产的外观于一身，助您轻松实现高功率密度设计。选择它，就是选择为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的“动力核心”。

• 型号:DMT3009LFVW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 14.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:823 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3009LFVW-7，Diodes产品一站式供应商。