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DMT3020LFDB-13 零件图片(仅供参考)

DMT3020LFDB-13
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DMT3020LFDB-13 规格参数

还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大电流的功率开关而烦恼吗?DMT3020LFDB-13正是为您而来的解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列,集成了两个高性能的开关,能在仅2.0x2.0毫米的微型封装内,为您提供高达7.7A的连续电流处理能力和30V的耐压等级,让您在紧凑的电路板上轻松实现复杂的功率分配与切换功能。

它的核心魅力在于极高的效率。其导通电阻低至20毫欧,能显著减少导通损耗,让您的设备运行更凉爽,电池续航更持久。同时,极低的栅极电荷确保了快速的开关响应,非常适合需要高频操作的电源管理和电机驱动应用。无论是智能穿戴设备、便携式家电,还是符合汽车级标准的车载电子模块,它都能让您的设计更高效、更可靠。

  • 型号:DMT3020LFDB-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:U-DFN2020-6(B 类)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):7nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):393pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:700mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:U-DFN2020-6(B 类)
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DMT3020LFDB-13 基本参数:

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