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还在寻找一颗能同时满足高效率、小体积和高可靠性的功率开关解决方案吗？DMT3020LFDB-7正是为您而来。这颗双N沟道MOSFET阵列，凭借仅20毫欧的超低导通电阻和7.7A的强大电流承载能力，能显著降低您的系统导通损耗，提升整体能效。

它采用先进的DFN2020微型封装，让您在极其有限的空间内也能部署强大的功率控制功能。其汽车级（AEC-Q101）品质和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的产品即使在最严苛的环境中也能稳定运行。选择它，就是选择让您的设计更紧凑、更高效、更可靠。

• 型号:DMT3020LFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:393pF @ 15V
• 功率 - 最大值:700mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMT3020LFDB-7，Diodes产品一站式供应商。