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还在寻找一颗能同时满足高效率、小体积与高可靠性的开关器件吗？DMT3020LFDF-13正是为您而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和8.4A的连续电流能力，其核心魅力在于仅17毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机控制应用运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的封装技术，体积小巧却性能强悍。极低的栅极电荷让开关速度更快、损耗更低，轻松应对高频应用挑战。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:DMT3020LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:393 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta），1.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMT3020LFDF-13，Diodes产品一站式供应商。