还在为寻找一颗能在汽车和工业环境中“扛大梁”的功率开关而烦恼吗?DMT4005SCT正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V的耐压和高达100A的电流处理能力,其核心魅力在于惊人的4.7毫欧超低导通电阻,能显著减少开关过程中的功率损耗和发热,让您的系统运行更凉爽、更高效。
它基于先进的MOSFET技术打造,具备快速的开关响应(低栅极电荷Qg)和宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关,它都能让您轻松应对大电流挑战,同时确保极高的可靠性和稳定性。选择DMT4005SCT,就是为您的设计选择了一份从容与自信。
- 型号:DMT4005SCT
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-220-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.7 毫欧 @ 50A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):49.1 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3062 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.3W(Ta),104W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220-3
- 封装/外壳:TO-220-3
- DMT4005SCT,Diodes产品一站式供应商。