我们为全球各个行业提供Diodes DMT4008LSS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既能承载大电流又具备超低损耗的MOSFET而烦恼吗？DMT4008LSS-13正是为您的高效电源设计量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V的耐压和12.8A的持续电流能力，而其核心魅力在于，在10V驱动下导通电阻仅为8.5毫欧，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽，整体能效大幅跃升。

它专为优化开关性能而生。较低的栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗，特别适用于高频开关电源应用。无论是空间紧凑的适配器，还是要求严苛的工业电源，其8-SO封装和宽广的工作温度范围都能轻松应对，让您的设计更灵活、更可靠。选择DMT4008LSS-13，就是选择为您的产品注入高效、稳定的核心动力。

• 型号:DMT4008LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1143 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.32W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT4008LSS-13，Diodes产品一站式供应商。