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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMT4011LFG-7正是您期待的高效解决方案。这颗40V/30A的N沟道MOSFET，凭借其极低的导通电阻（仅11毫欧@10V），能显著降低开关过程中的导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高，直接帮助您节省能源成本并简化散热设计。

它专为严苛环境而生，符合汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C到150°C的广阔温度范围内稳定工作。无论是汽车电机驱动、LED照明还是各类电源管理应用，它都能提供强劲可靠的功率开关支持。其优化的栅极电荷和输入电容特性，让开关速度更快，驱动更轻松，助您轻松实现高效、紧凑且可靠的产品设计。

• 型号:DMT4011LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:767 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:15.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT4011LFG-7，Diodes产品一站式供应商。